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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PASSIVATION OF COPPER BY LITHIUM IN P-TYPE GAAS
作者: EGILSSON T;  GISLASON HP;  YANG BH
发表日期: 1994
摘要: We report the passivation of two deep copper-related acceptor levels in Cu-diffused p-type GaAs by the group-I element lithium. The deep-level-transient-spectroscopy (DLTS) signals of the well-known Cu-related levels with apparent activation energies 0.15 eV and 0.40 eV disappear in Cu-diffused samples when they are diffused with Li, but can be reactivated by annealing. Photoluminescence measurements show a corresponding disappearance and reappearance of the copper-related luminescence at 1.36 eV. Also we observe with DLT'S an energy level at E(V) + 0.32 eV in the Cu-Li-diff-used samples. The level is neither present in the Cu-diffused samples before Li diffusion nor in Cu-Li-diffused samples after annealing. As the level is not observed in starting materials or solely Li-diffused samples we suggest that it is related to a Cu-Li complex.
KOS主题词: Photoluminescence;  Deuterium;  Defects;  Copper
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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EGILSSON T; GISLASON HP; YANG BH.PASSIVATION OF COPPER BY LITHIUM IN P-TYPE GAAS,PHYSICAL REVIEW B,1994,50(3):1996-1998
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