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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: INVESTIGATION OF POROUS SILICON BY SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY AND ATOMIC-FORCE MICROSCOPY
作者: YU T;  LAIHO R;  HEIKKILA L
发表日期: 1994
摘要: The size and distribution of surface features of porous silicon layers have been investigated by scanning tunneling and atomic force microscopy. Pores and hillocks down to 1-2 nm size were observed, with their shape and distribution on the sample surface being influenced by crystallographic effects. The local density of electronic states show a strong increase above 2 eV, in agreement with recent theoretical predictions.
KOS主题词: Photoluminescence;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  alpha-particle spectra;  Optical spectrometers;  Spectrum analysis;  wafers
刊名: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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YU T; LAIHO R; HEIKKILA L.INVESTIGATION OF POROUS SILICON BY SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY AND ATOMIC-FORCE MICROSCOPY,JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B,1994,12(4):2437-2439
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