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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: EFFECTS OF 1-MEV-ELECTRON IRRADIATION ON A-SI SOLAR-CELLS
作者: LI LQ;  PAN GQ;  DIAO HW;  LIAO XB;  YOU ZP
发表日期: 1994
摘要: In this report we present the effects of 1 MeV-electron irradiation on i a-Si:H films and solar cells. It is observed that in the dose range of 1.4-8.4 x 10(15) cm(-2) the defect creation has not reached its saturation level and the metastable defects caused by the irradiation cannot be completely removed by a two hour annealing at 200 degrees C for i a-Si:H films or at 130 degrees C for a-Si:H solar cells. The results may be understood in terms of a model based on two kinds of metastable defects created by 1 MeV-electron irradiation.
KOS主题词: amorphous silicon
刊名: SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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LI LQ; PAN GQ; DIAO HW; LIAO XB; YOU ZP.EFFECTS OF 1-MEV-ELECTRON IRRADIATION ON A-SI SOLAR-CELLS,SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS,1994,34(0):571-575
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