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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure
作者: Ding Y (Ding Y.);  Fan WJ (Fan W. J.);  Ma BS (Ma B. S.);  Xu DW (Xu D. W.);  Yoon SF (Yoon S. F.);  Liang S (Liang S.);  Zhao LJ (Zhao L. J.);  Wasiak M (Wasiak M.);  Czyszanowski T (Czyszanowski T.);  Nakwaski W (Nakwaski W.)
发表日期: 2010
KOS主题词: Vapor phase epitaxy;  Photoluminescence;  Modes
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure.pdf414KbAdobe PDF浏览/下载


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Ding Y (Ding Y.), Fan WJ (Fan W. J.), Ma BS (Ma B. S.), Xu DW (Xu D. W.), Yoon SF (Yoon S. F.), Liang S (Liang S.), Zhao LJ (Zhao L. J.), Wasiak M (Wasiak M.), Czyszanowski T (Czyszanowski T.), Nakwaski W (Nakwaski W.).Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,108(7):Art. No. 073111
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