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题名: Observation of N-Shaped Negative Differential Resistance in GaAs-Based Modulation-Doped Field Effect Transistor with InAs Quantum Dots
作者: Li YQ (Li Yueqiang);  Wang XD (Wang Xiaodong);  Xu XN (Xu Xiaona);  Liu W (Liu Wen);  Chen YL (Chen Yanling);  Yang FH (Yang Fuhua);  Tan PH (Tan Pingheng);  Zeng YP (Zeng Yiping)
发表日期: 2010
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 半导体集成技术工程研究中心 _期刊论文

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Observation of N-Shaped Negative Differential Resistance in GaAs-Based Modulation-Doped Field Effect Transistor with InAs Quantum Dots.pdf975KbAdobe PDF 联系获取全文


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Li YQ (Li Yueqiang), Wang XD (Wang Xiaodong), Xu XN (Xu Xiaona), Liu W (Liu Wen), Chen YL (Chen Yanling), Yang FH (Yang Fuhua), Tan PH (Tan Pingheng), Zeng YP (Zeng Yiping).Observation of N-Shaped Negative Differential Resistance in GaAs-Based Modulation-Doped Field Effect Transistor with InAs Quantum Dots.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,49(10):Art. No. 104002
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