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题名: Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques
作者: Guo X (Guo Xi);  Wang H (Wang Hui);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Yang H (Yang Hui)
发表日期: 2010
KOS主题词: Optical properties;  crystal atomic structure;  Heterostructures;  Alloys;  Wells
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques.pdf1511KbAdobe PDF 联系获取全文


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Guo X (Guo Xi), Wang H (Wang Hui), Jiang DS (Jiang De-Sheng), Wang YT (Wang Yu-Tian), Zhao DG (Zhao De-Gang), Zhu JJ (Zhu Jian-Jun), Liu ZS (Liu Zong-Shun), Zhang SM (Zhang Shu-Ming), Yang H (Yang Hui).Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques.CHINESE PHYSICS B,2010,19(10):Art. No. 106802
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