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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: High-Saturation-Power and High-Speed Ge-on-SOI p-i-n Photodetectors
作者: Xue HY (Xue Hai-Yun);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Yu YD (Yu Yu-De);  Wang QM (Wang Qi-Ming)
发表日期: 2010
KOS主题词: Germanium;  Optical detectors;  Light meters;  saturation power
刊名: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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High-Saturation-Power and High-Speed Ge-on-SOI p-i-n Photodetectors.pdf427KbAdobe PDF 联系获取全文


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Xue HY (Xue Hai-Yun), Xue CL (Xue Chun-Lai), Cheng BW (Cheng Bu-Wen), Yu YD (Yu Yu-De), Wang QM (Wang Qi-Ming).High-Saturation-Power and High-Speed Ge-on-SOI p-i-n Photodetectors.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2010,31(7):701-703
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