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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Tunable MQW-DBR lasers using selective area growth
作者: Liu GL;  Wang W;  Zhang JY;  Chen WX;  Xu GY;  Zhang BJ;  Zhou F;  Wang XJ;  Zhu HL
出版日期: 2000
会议日期: MAY 08-11, 2000
摘要: The tunable ridge waveguide distributed Bragg reflector (DBR) lasers designed for wavelength-division-multiplex (WDM) communication systems at 1.55 um by using selective area growth (SAG) is reported. The threshold current of the DBR laser is 62mA and the output power is more than 8mW. The isolation resistance between the active region and the Bragg region is 30K Ohm. The total tuning range is 6.5nm and this DBR laser can provide 6 continuous standard WDM channels with 100GHz channel spacing; in the tuning range, the single mode suppression ratio (SMSR) is maintained more than 32dB and the maximum output power variation is less than 3dB.
会议名称: 4th International Conference on Thin Film Physics and Applications
KOS主题词: atomic layer deposition;  tunable laser;  Epitaxy
会议文集: FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 4086
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Liu GL; Wang W; Zhang JY; Chen WX; Xu GY; Zhang BJ; Zhou F; Wang XJ; Zhu HL .Tunable MQW-DBR lasers using selective area growth .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 4086,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,2000,143-146
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