Small signal equivalent circuit model of vertical cavity surface emitting lasers
Mao LH; Chen HD; Tang J; Liang K; Wu RB; Nian H; Guo WL; Wu XW; Mao LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
2001
会议名称6th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
会议录名称SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS
页码1296-1298
会议日期OCT 22-25, 2001
会议地点SHANGHAI, PEOPLES R CHINA
出版地345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者IEEE
ISBN0-7803-6520-8
部门归属chinese acad sci, inst semicond, state key lab integrated optoelect, beijing 100083, peoples r china
摘要Small signal equivalent circuit model of vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL's) is given in this paper. The modulation properties of VCSEL are simulated using this model in Pspice program. The simulation results are good agree with experiment data. Experiment is performed to testify the circuit model.
关键词Quantum-well Lasers
学科领域光电子学
主办者Chinese Inst Electr.; IEEE Beijing Sect.; IEEE Electron Devices Soc.; IEEE EDS Beijing Chapter.; IEEE EDS Shanghai Chapter.; IEEE Solid State Circuits Soc.; Japan Soc Appl Phys.; IEE, Electr Div.; IEE Korea.; Assoc Asia Pacific Phys Soc.
收录类别CPCI-S
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13681
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Mao LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Mao LH,Chen HD,Tang J,et al. Small signal equivalent circuit model of vertical cavity surface emitting lasers[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2001:1296-1298.
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