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SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped
作者: Misuraca J (Misuraca Jennifer);  Trbovic J (Trbovic Jelena);  Lu J (Lu Jun);  Zhao JH (Zhao Jianhua);  Ohno Y (Ohno Yuzo);  Ohno H (Ohno Hideo);  Xiong P (Xiong Peng);  von Molnar S (von Molnar Stephan)
发表日期: 2010
KOS主题词: DX centers;  Gallium arsenide;  Semiconductors
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 半导体超晶格国家重点实验室 _期刊论文

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Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped Al0.3Ga0.7As.pdf313KbAdobe PDF 联系获取全文


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Misuraca J (Misuraca Jennifer), Trbovic J (Trbovic Jelena), Lu J (Lu Jun), Zhao JH (Zhao Jianhua), Ohno Y (Ohno Yuzo), Ohno H (Ohno Hideo), Xiong P (Xiong Peng), von Molnar S (von Molnar Stephan).Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped.PHYSICAL REVIEW B,2010,82(12):Art. No. 125202
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