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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
作者: Wang Y (Wang Y.);  Chen NF (Chen N. F.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Huang TM (Huang T. M.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Bai YM (Bai Y. M.)
发表日期: 2010
KOS主题词: Dispersion relations;  Heraldry
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Evaluating 0.53 eV GaInAsSb thermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model.pdf822KbAdobe PDF 联系获取全文


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Wang Y (Wang Y.), Chen NF (Chen N. F.), Zhang XW (Zhang X. W.), Huang TM (Huang T. M.), Yin ZG (Yin Z. G.), Bai YM (Bai Y. M.).Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model.SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2010,25(9):Art. No. 095002
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