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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density
作者: Zhou XL (Zhou X. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu JQ (Liu J. Q.);  Xu B (Xu B.);  Ye XL (Ye X. L.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
发表日期: 2010
KOS主题词: Quantum dots;  Photoluminescence
刊名: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAsGaAs surface quantum dots with high areal density.pdf527KbAdobe PDF 联系获取全文


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Zhou XL (Zhou X. L.), Chen YH (Chen Y. H.), Liu JQ (Liu J. Q.), Xu B (Xu B.), Ye XL (Ye X. L.), Wang ZG (Wang Z. G.).Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density.PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES,2010,42(9):2455-2459
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