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SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Easy axis reorientation and magneto-crystalline anisotropic resistance of tensile strained (Ga,Mn)As films
作者: Chen L (Chen L.);  Yan S (Yan S.);  Xu PF (Xu P. F.);  Lu J (Lu J.);  Deng JJ (Deng J. J.);  Ji Y (Ji Y.);  Wang KY (Wang K. Y.);  Zhao JH (Zhao J. H.)
发表日期: 2010
KOS主题词: induced anisotropy (magnetic);  atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
专题: 半导体超晶格国家重点实验室 _期刊论文

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Easy axis reorientation and magneto-crystalline anisotropic resistance of tensile strained (Ga,Mn)As films.pdf830KbAdobe PDF 联系获取全文


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Chen L (Chen L.), Yan S (Yan S.), Xu PF (Xu P. F.), Lu J (Lu J.), Deng JJ (Deng J. J.), Ji Y (Ji Y.), Wang KY (Wang K. Y.), Zhao JH (Zhao J. H.).Easy axis reorientation and magneto-crystalline anisotropic resistance of tensile strained (Ga,Mn)As films.JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS,2010,322(21):3250-3254
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