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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films
作者: Zhang Q (Zhang Q.);  Wang XQ (Wang X. Q.);  Yin CM (Yin C. M.);  Xu FJ (Xu F. J.);  Tang N (Tang N.);  Shen B (Shen B.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Chang K (Chang K.);  Ge WK (Ge W. K.);  Ishitani Y (Ishitani Y.);  Yoshikawa A (Yoshikawa A.)
发表日期: 2010
KOS主题词: Glass;  Amorphous semiconductors;  Photoconductivity;  Photoconductivity;  semiconductor epitaxial layers;  spin-orbit interactions;  Energy bands;  Wide gap semiconductors;  Zinc compounds
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films.pdf394KbAdobe PDF 联系获取全文


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Zhang Q (Zhang Q.), Wang XQ (Wang X. Q.), Yin CM (Yin C. M.), Xu FJ (Xu F. J.), Tang N (Tang N.), Shen B (Shen B.), Chen YH (Chen Y. H.), Chang K (Chang K.), Ge WK (Ge W. K.), Ishitani Y (Ishitani Y.), Yoshikawa A (Yoshikawa A.).Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films.APPLIED PHYSICS LETTERS,2010,97(4):Art. No. 041907
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