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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Mechanism on Effect of Surface Plasmons Coupling with InGaN/GaN Quantum Wells: Enhancement and Suppression of Photoluminescence Intensity
作者: Huang ZL (Huang Zengli);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Liu ZH (Liu Zhenghui);  Xu K (Xu Ke);  Yang H (Yang Hui);  Cao B (Cao Bing);  Han Q (Han Qin);  Zhang GJ (Zhang Guiju);  Wang CH (Wang Chinhua)
发表日期: 2010
KOS主题词: Light emitting diodes
刊名: APPLIED PHYSICS EXPRESS
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Huang ZL (Huang Zengli), Wang JF (Wang Jianfeng), Liu ZH (Liu Zhenghui), Xu K (Xu Ke), Yang H (Yang Hui), Cao B (Cao Bing), Han Q (Han Qin), Zhang GJ (Zhang Guiju), Wang CH (Wang Chinhua).Mechanism on Effect of Surface Plasmons Coupling with InGaN/GaN Quantum Wells: Enhancement and Suppression of Photoluminescence Intensity.APPLIED PHYSICS EXPRESS,2010,3(7):Art. No. 072001
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