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题名: Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD
作者: Sun YP (Sun Yuanping);  Sun Y (Sun Yuanping);  Cho YH (Cho Yong-Hoon);  Wang H (Wang Hui);  Wang LL (Wang Lili);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Yang H (Yang Hui)
发表日期: 2010
KOS主题词: activation energy;  emission;  Single
刊名: JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD.pdf1185KbAdobe PDF 联系获取全文


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Sun YP (Sun Yuanping), Sun Y (Sun Yuanping), Cho YH (Cho Yong-Hoon), Wang H (Wang Hui), Wang LL (Wang Lili), Zhang SM (Zhang Shuming), Yang H (Yang Hui).Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD.JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY,2010,57(1):128-132
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