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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy
作者: Yu JL (Yu J. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Ye XL (Ye X. L.);  Jiang CY (Jiang C. Y.);  Jia CH (Jia C. H.)
发表日期: 2010
KOS主题词: atomic layer deposition;  strain relaxation;  interface;  Alloys;  Gallium arsenide;  Heterostructures;  Microstructure;  Nitrogen
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Yu JL (Yu J. L.), Chen YH (Chen Y. H.), Ye XL (Ye X. L.), Jiang CY (Jiang C. Y.), Jia CH (Jia C. H.).In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,108(1):Art. No. 013516
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