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题名: Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection
作者: Wang GW (Wang Guo-Wei);  Xu YQ (Xu Ying-Qiang);  Guo J (Guo Jie);  Tang B (Tang Bao);  Ren ZW (Ren Zheng-Wei);  He ZH (He Zhen-Hong);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
发表日期: 2010
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 半导体超晶格国家重点实验室 _期刊论文

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Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs-GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection.pdf833KbAdobe PDF 联系获取全文


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Wang GW (Wang Guo-Wei), Xu YQ (Xu Ying-Qiang), Guo J (Guo Jie), Tang B (Tang Bao), Ren ZW (Ren Zheng-Wei), He ZH (He Zhen-Hong), Niu ZC (Niu Zhi-Chuan).Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection.CHINESE PHYSICS LETTERS,2010,27(7):Art. No. 077305
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