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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer
作者: Wang H (Wang H.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Jahn U (Jahn U.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Yang H (Yang H.)
发表日期: 2010
KOS主题词: Gallium nitride;  X-ray crystallography;  Metal organic chemical vapor deposition
刊名: THIN SOLID FILMS
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer.pdf656KbAdobe PDF 联系获取全文


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Wang H (Wang H.), Jiang DS (Jiang D. S.), Jahn U (Jahn U.), Zhu JJ (Zhu J. J.), Zhao DG (Zhao D. G.), Liu ZS (Liu Z. S.), Zhang SM (Zhang S. M.), Yang H (Yang H.).Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer.THIN SOLID FILMS,2010,518(17):5028-5031
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