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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: Temperature dependent photoluminescence of an In(Ga)As/GaAs quantum dot system with different areal density
作者: Zhou XL (Zhou X. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu JQ (Liu J. Q.);  Jia CH (Jia C. H.);  Zhou GY (Zhou G. Y.);  Ye XL (Ye X. L.);  Xu B (Xu Bo);  Wang ZG (Wang Z. G.)
发表日期: 2010
KOS主题词: States;  Cantons;  metallic superlattices;  Imprisonment;  Lasers
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Zhou XL (Zhou X. L.), Chen YH (Chen Y. H.), Liu JQ (Liu J. Q.), Jia CH (Jia C. H.), Zhou GY (Zhou G. Y.), Ye XL (Ye X. L.), Xu B (Xu Bo), Wang ZG (Wang Z. G.).Temperature dependent photoluminescence of an In(Ga)As/GaAs quantum dot system with different areal density.JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2010,43(29):Art. No. 295401
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