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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法
发明人: 张兴旺;  高 云;  屈 盛;  陈诺夫
授权日期: 2010-8-12
摘要: 本发明一种制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:利用双亲嵌段共聚物PS-P4VP在甲苯中自组装成反胶束,然后将金属盐FeCl3和H2PtCl6加入所述反胶束溶液中,形成金属盐负载的反胶束;步骤2:利用旋涂法在硅衬底上获得反胶束阵列,并通过氧等离子体和氢等离子体刻蚀而得到单分散性良好的FePt纳米颗粒阵列;步骤3:用磁控溅射法在FePt纳米颗粒阵列上覆盖一层SiO2保护层;步骤4:保护气氛下对样品进行高温退火,完成平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的制作。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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张兴旺;高 云;屈 盛;陈诺夫 ,制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法,CN200810115182.1 ,2008-06-18
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