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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 应用微波光子晶体的共面波导结构
发明人: 张 昀;  哈森其其格;  任 民;  鞠 昱;  陈 伟;  谢 亮;  祝宁华
授权日期: 2010-8-12
摘要: 本发明公开了一种应用微波光子晶体的共面波导结构,该结构包括:用于高频传输的一电介质层(3);用于限制电磁波的一光子晶体地平面(2),该光子晶体地平面(2)由多个微波光子晶体单元结构(1)连接构成,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合;用于传播电磁波的一中心导体(4),该中心导体(4)是一根L型50欧姆铜导线,在导线中间位置发生90度弯折,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合。本发明提供的这种应用微波光子晶体的共面波导结构,有效的减少了信号的泄漏,简化了制备工艺,使其更适合于单片微波集成,并能提高实共面波导的传输系数。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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张 昀;哈森其其格;任 民;鞠 昱;陈 伟;谢 亮;祝宁华 ,应用微波光子晶体的共面波导结构,CN200810115161.X ,2008-06-18
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