低介电常数BCB树脂的固化方法
程远兵; 周 帆; 潘教青; 陈娓兮; 王 圩
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-01-13 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种低介电常数BCB树脂的固化方法,具体步骤如下:步骤1:在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂;步骤2:通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态BCB树脂,接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中,并通入氮气保护;步骤3:加热固化炉,使涂覆BCB树脂的半导体芯片达到一第一温度,稳定一段时间,使BCB树脂中的溶剂分布均匀;步骤4:再将加热固化炉升高到一第二温度,稳定一段时间,使BCB树脂中的溶剂充分挥发;步骤5:再将加热固化炉升高至一第三温度,稳定一段时间,在半导体芯片表面形成低介电常数的树脂薄膜;步骤6:将加热固化炉的温度降至一预定温度,关氮气,取出样品,完成固化工艺。
申请日期2008-07-09
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810116413.0
专利代理人汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13422
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
程远兵,周 帆,潘教青,等. 低介电常数BCB树脂的固化方法[P]. 2010-08-12.
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