Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 集成肋片式红外半导体激光器结构 | |
| 刘俊岐; 刘峰奇; 李 路; 王利军; 王占国 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-01-20 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括:一脊形区;一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置;两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧;上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面;该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。 |
| 申请日期 | 2008-07-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810116832.4 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13408 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘俊岐,刘峰奇,李 路,等. 集成肋片式红外半导体激光器结构[P]. 2010-08-12. |
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