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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer
作者: Wang LS;  Liu XL;  Zan YD;  Wang J;  Wang D;  Lu DC;  Wang ZG
发表日期: 1998
摘要: Wurtzite GaN films have been grown on (001) Si substrates using gamma-Al2O3 as an intermediate layer by low pressure (similar to 76 Torr) metalorganic chemical vapor deposition. Reflection high energy electron diffraction and double crystal x-ray diffraction measurements revealed that the thin gamma-Al2O3 layer of "compliant" character was an effective intermediate layer for the GaN film grown epitaxially on Si. The narrowest linewidth of the x-ray rocking curve for (0002) diffraction of the 1.3 mu m GaN sample was 54 arcmin. The orientation relationship of GaN/gamma-Al2O3/Si was (0001) GaN parallel to(001) gamma-Al2O3 parallel to(001) Si, [11-20] GaN parallel to[110] gamma-Al2O3 parallel to[110] Si. The photoluminescence measurement for GaN at room temperature exhibited a near band-edge peak of 365 nm (3.4 eV). (C) 1998 American Institute of Physics.
KOS主题词: Light emitting diodes;  Vapor phase epitaxy;  Thin films;  Gallium nitride;  Aluminum oxide;  Metric system;  Silicon;  sedimentation
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang J; Wang D; Lu DC; Wang ZG .Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer ,APPLIED PHYSICS LETTERS,1998,72(1):109-111
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