高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Alignment of misfit dislocations in the In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As/InP heterostructure
作者: Wu J;  Li HX;  Fan TW;  Wang ZG
发表日期: 1998
摘要: It was observed with transmission electron microscopy in the In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As system grown on the (001) InP substrate that misfit dislocation lines deviate [110] directions at an angle with its value depending on the gallium content. Such an abnormal alignment of misfit dislocations is explained in terms of an alloy effect on the formation of single jogs on misfit dislocations in the interface between the III-V ternary compounds. (C) 1998 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1065.pdf298KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Wu J; Li HX; Fan TW; Wang ZG .Alignment of misfit dislocations in the In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As/InP heterostructure ,APPLIED PHYSICS LETTERS,1998,72(3):311-313
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Wu J]的文章
 [Li HX]的文章
 [Fan TW]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Wu J]的文章
 [Li HX]的文章
 [Fan TW]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发