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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
作者: Wang ZM;  Feng SL;  Lu ZD;  Zhao Q;  Yang XP;  Chen ZG;  Xu ZY;  Zheng HZ
发表日期: 1998
摘要: We investigate the annealing behavior of InAs layers with different thicknesses in a GaAs matrix. The diffusion enhancement by strain, which is well established in strained quantum wells, occurs in InAs/GaAs quantum dots (QDs). A shift of the QD luminescence peak toward higher energies results from this enhanced diffusion. In the case of structures where a significant portion of the strain is relaxed by dislocations, the interdiffusion becomes negligible, and there is a propensity to generate additional dislocations. This results in a decrease of the QD luminescence intensity, and the QD peak energy is weakly affected.
KOS主题词: Rapid thermal processing;  Heat treatment;  Quantum dots;  Optical properties;  Gallium arsenide;  Diffusion;  Kirkendall effect;  Development;  Threshold;  strain;  Scale
刊名: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ .Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures ,JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS ,1998,27(2):59-61
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