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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
作者: Wang ZM;  Feng SL;  Yang XP;  Lu ZD;  Xu ZY;  Chen ZG;  Zheng HZ;  Wang FL;  Gao M;  Han PD;  Duan XF
发表日期: 1997
摘要: Introducing the growth interruption between the InAs deposition and subsequent GaAs growth in self-assembled quantum dot (QD) structures, the material transport process in the InAs layers has been investigated by photoluminescence and transmission electron microscopy measurement. InAs material in structures without misfit dislocations transfers from the wetting layer to QDs corresponding to the red-shift of PL peak energy due to interruption. On the other hand, the PL peak shifts to higher energy in the structures with dislocations. In this case, the misfit dislocations would capture the InAs material from the surrounding wetting layer and coherent islands leading to the reduction of the size of these QDs. The variations in the PL intensity and Linewidth are also discussed.
KOS主题词: Development;  transition;  Gallium arsenide
刊名: PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang ZM; Feng SL; Yang XP; Lu ZD; Xu ZY; Chen ZG; Zheng HZ; Wang FL; Gao M; Han PD; Duan XF .Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble ,PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES ,1997,12(0):205-211
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