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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs
作者: Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Li RG
发表日期: 1998
摘要: A variable-temperature reflectance difference spectroscopy study of GaAs grown by molecular beam epitaxy at low-temperature GaAs (LT-GaAs) shows that the Fermi level is mostly determined by the point defects in samples annealed at below 600 degrees C and can be shifted by photoquenching the defects. The Fermi level is otherwise almost temperature independent, leading to an estimated width of the defect band of 150 meV in the as-grown sample, For LT-GaAs annealed at 850 degrees C, the Fermi level is firmly pinned, most Likely by the As precipitates. (C) 1998 American Institute of Physics.
KOS主题词: Hopping conduction;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  alpha-particle spectra;  Optical spectrometers;  Spectrum analysis;  Defects
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen YH; Yang Z; Wang ZG; Li RG .Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs ,APPLIED PHYSICS LETTERS,1998,72(15):1866-1868
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