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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence from Erbium-implanted silicon-rich SiO2
作者: Lei HB;  Yang QQ;  Zhu JL;  Gao JH;  Wang HJ;  Wang QM
发表日期: 1998
摘要: Si-rich SiO2 films were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition on the silicon substrates, and then implanted with 1 x 10(15) cm(-2) 400 keV Er ions. After annealing at 800 degrees C for 5 min the samples show room temperature luminescence around 1.54 mu m, characteristic of intra-4f emission from Er3+, upon excitation using an Ar ion laser.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Lei HB; Yang QQ; Zhu JL; Gao JH; Wang HJ; Wang QM .Photoluminescence from Erbium-implanted silicon-rich SiO2 ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1998,15(1):72-73
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