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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates
作者: Wang LS;  Liu XG;  Zan YD;  Wang D;  Wang J;  Lu DC;  Wang ZG
发表日期: 1998
摘要: Single crystal GaN films of hexagonal modification have been fabricated on Al2O3/Si (001) substrates via a low pressure metalorganic chemical deposition (LP-MOCVD) method. The full width at half-maximum of (0002) X-ray diffraction peak for the GaN film 1.1 mu m thick was 72 arcmin. and the mosaic structure of the film was the main cause of broadening to the X-ray diffraction peak. Al room temperature, the photoluminescence (PL) spectrum of GaN exhibited near band edge emission peaking at 365 nm.
KOS主题词: Development;  Diodes
刊名: SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG .Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates ,SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES,1998,41(2):203-207
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