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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optical properties of Ge self-organized quantum dots in Si
作者: Peng CS;  Huang Q;  Cheng WQ;  Zhou JM;  Zhang YH;  Sheng TT;  Tung CH
发表日期: 1998
摘要: Small-size, high-density, and vertical-ordering Ge quantum dots are observed in strained Si/Ge short-period superlattices grown on Si(001) at low growth temperature by molecular-beam epitaxy. The photoluminescence (PL) peak position, the strong PL at room temperature, and the high exciton binding energy suggest an indirect-to-direct conversion of the Ge quantum dots. This conversion is in good agreement with the theoretical prediction. The characteristic of absorption directly indicates this conversion. The tunneling of carriers between these quantum dots is also observed. [S0163-1829(98)03515-2].
KOS主题词: Development;  Photoluminescence;  Temperature;  metallic superlattices;  Imprisonment;  Islands
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Peng CS; Huang Q; Cheng WQ; Zhou JM; Zhang YH; Sheng TT; Tung CH .Optical properties of Ge self-organized quantum dots in Si ,PHYSICAL REVIEW B,1998,57(15):8805-8808
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