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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Ordered InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001) InP substrates grown by molecular beam epitaxy
作者: Li HX;  Wu J;  Xu B;  Liang JB;  Wang ZG
发表日期: 1998
摘要: InAs self-organized quantum dots in InAlAs matrix lattice-matched to exactly oriented (001) InP substrates were grown by solid source molecular beam epitaxy (MBE) using the Stranski-Krastanow mode. Preliminary characterizations have been performed using photoluminescence and transmission electron microscopy. The geometrical arrangement of the quantum dots is found to be strongly dependent on the amount of coverage. At low deposition thickness. InAs QDs are arranged in chains along [1(1) over bar0$] directions. Luminescence from the quantum dots and the wetting layer consisting of quantum wells with well widths of 1, 2, and 3 monolayers is observed. (C) 1998 American Institute of Physics.
KOS主题词: self-organization;  Islands;  Recombination;  Surface
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li HX; Wu J; Xu B; Liang JB; Wang ZG .Ordered InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001) InP substrates grown by molecular beam epitaxy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,1998,72(17):2123-2125
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