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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides
作者: Peng RW;  Ding YQ;  Xu CM;  Wang XG
发表日期: 1998
摘要: The qualities of GaSb substrates commonly used for the preparation of III-V antimonide epilayers were studied before and after growing GaInAsSb multi-layers by MOCVD using PL, FTIR and DCXD together with the electrical properties and EPD value. The correlation between the substrate qualities and epilayer properties was briefly discussed. The good property epilayers of GaInAsSb and, then, the high preformance of 2.3 um photodetectors were achieved only using the good quality GaSb wafers as the substrates.
KOS主题词: Vapor phase epitaxy;  Development
刊名: DEFECT RECOGNITION AND IMAGE PROCESSING IN SEMICONDUCTORS 1997
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Peng RW; Ding YQ; Xu CM; Wang XG .Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides ,DEFECT RECOGNITION AND IMAGE PROCESSING IN SEMICONDUCTORS 1997 ,1998,160(0):417-420
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