高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001)InP substrates grown by molecular beam epitaxy
作者: Li H;  Wang Z;  Liang J;  Xu B;  Wu J;  Gong Q;  Jiang C;  Liu F;  Zhou W
发表日期: 1998
摘要: InAs quantum dots grown on InAlAs lattice-matched to (0 0 1) InP substrates by molecular beam epitaxy are investigated by double-crystal X-ray diffraction, photoluminescence and transmission electron microscopy. The growth process is found to follow the Stranski-Krastanow growth mode. The islands formation is confirmed by the TEM measurements. Strong radiative recombination from the quantum dots and the wetting layer is observed, with room temperature PL emission in the 1.2-1.7 mu m region, demonstrating the potential of the InAs/InAlAs QDs for optoelectronic device applications. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Quantum dots;  atomic layer deposition;  self-organization;  Islands
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1019.pdf172KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Li H; Wang Z; Liang J; Xu B; Wu J; Gong Q; Jiang C; Liu F; Zhou W .InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001)InP substrates grown by molecular beam epitaxy ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1998,187(3-4):564-568
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Li H]的文章
 [Wang Z]的文章
 [Liang J]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Li H]的文章
 [Wang Z]的文章
 [Liang J]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发