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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Alignment of threading dislocations in the In0.3Ga0.7As/GaAs superlattice
作者: Wu J
发表日期: 1998
摘要: Threading dislocations in the III-V heterostructure system are investigated based on the observation of dislocations in the In0.3Ga0.7As/GaAs superlattice with transmission electron microscope. To explain both the presence and orientation of threading dislocations in the epilayers an alloy effect on the dislocation lines in ternary III-V compounds is proposed, and, in addition, a pseudo-stable state for threading dislocations in binary compounds is recognized. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Development;  Gallium arsenide
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu J .Alignment of threading dislocations in the In0.3Ga0.7As/GaAs superlattice ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1998,187(3-4):363-366
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