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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Raman scattering and photoluminescence of ZnSxTe1-x mixed crystals
作者: Liu NZ;  Li GH;  Zhu ZM;  Han HX;  Wang ZP;  Ge WK;  Sou IK
发表日期: 1998
摘要: We have investigated the Raman scattering and the photoluminescence (PL) of ZnSxTe1-x mixed crystals grown by MBE, covering the entire composition range (0 less than or equal to x < 1). The results of Raman studies show that the ZnSxTe1-x mixed crystals display two-mode behaviour. In addition, photoluminescence spectra obtained in backscattering and edge-emission geometries, reflectivity spectra and the: temperature dependence of the photoluminescence of ZnSxTe1-x have been employed to find out the origin of PL emissions in ZnSxTe1-x with different x values. The results indicate that emission bands, for the samples with small x values, can be related to the band gap transitions or a shallow-level emission centre, while as x approaches 1, they are designated to strong radiative recombination of Te isoelectronic centres (IECs).
KOS主题词: Vapor phase epitaxy;  Alloys;  Luminescence;  excitons;  Infrared spectra;  Spectrum analysis;  Photography--Films;  Finite volume method;  Gallium arsenide
刊名: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu NZ; Li GH; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Ge WK; Sou IK .Raman scattering and photoluminescence of ZnSxTe1-x mixed crystals ,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,1998,10(18):4119-4129
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