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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaN epilayers grown at high growth rate using gas source molecular beam epitaxy method
作者: Li XB;  Sun DZ;  Zhang JP;  Kong MY
发表日期: 1998
摘要: High-quality GaN epilayers have been grown by gas source molecular beam epitaxy using ammonia as the nitrogen source. During the growth, the growth rate is up to 1.2 mu m/h and can be varied from 0.3 to 1.2 mu m. The unintentional n-type doping as low as 7x10(17) cm(-3) was obtained at room temperature. Low-temperature photoluminescence spectrum was dominated by near-edge emission without deep-level related luminescence, indicative of high-quality epilayers. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Photography--Films;  Finite volume method
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li XB; Sun DZ; Zhang JP; Kong MY .GaN epilayers grown at high growth rate using gas source molecular beam epitaxy method ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1998,191(1-2):31-33
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