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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN
作者: Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Li XB;  Kong MY
发表日期: 1998
摘要: We use nuclear reaction analysis to study hydrogen in unintentionally doped GaN, and high-concentration hydrogen, nearly 10(21) cm(-3), is detected. Accordingly, a broad but intense infrared absorption zone with a peak at 2962 cm(-1) is reported, which is tentatively assigned to the stretch mode of NH: Ga complex. The complex is assumed to be one candidate answering for background electrons in unintentionally doped GaN. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Gallium nitride;  Hydrogen;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Li XB; Kong MY .High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1998,189(0):566-569
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