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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
作者: Liu XL;  Wang LS;  Lu DC;  Wang D;  Wang XH;  Lin LY
发表日期: 1998
摘要: The physical properties of low-temperature-deposited GaN buffer layers with different thicknesses grown by metal-organic vapor-phase epitaxy have been studied. A tentative model for the optimum thickness of buffer layer has been proposed. Heavily Si-doped GaN layers have been grown using silane as the dopant. The electron concentration of Si-doped GaN reached 1.7 x 10(20) cm(-3) with mobility 30 cm(2)/V s at room temperature. (C) 1998 Published by Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu XL; Wang LS; Lu DC; Wang D; Wang XH; Lin LY .The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1998,189(0):287-290
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