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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe epitaxial layer
作者: Han PD
发表日期: 1998
摘要: A transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe layer grown epitaxially on a vicinal GaAs (001) substrate is reported. The ribbons go through the layer as threading dislocations near the [<(11)over bar 2>](111) or [112](<(11)over bar 1>) directions. Each of these (with a 40 nm width) has two narrow parts enclosed by three partial dislocations (with a 20 nm spacing). By contrast analysis and contrast simulation, the ribbons have been shown to be composed of two partially overlapping stacking faults. Their origin is attributed to a forced reaction between two crossing perfect misfit dislocations.
KOS主题词: Misfit dislocations;  Semiconductors;  Origin;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Han PD .Transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe epitaxial layer ,PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS,1998,78(3):203-211
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