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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electronic structures of InAs self-assembled quantum dots in an axial magnetic field
作者: Li SS;  Xia JB
发表日期: 1998
摘要: The electronic structure of an InAs self-assembled quantum dot in the presence of a perpendicular magnetic field is investigated theoretically. The effect of finite offset, valence-band mixing, and strain are taken into account. The hole levels show strong anticrossings. The large strain and strong magnetic field decrease the effect of mixing between heavy hole and light hole. The hole energy levels have in general a weaker field dependence compared with the corresponding uncoupled levels.
KOS主题词: Gallium arsenide;  Photoluminescence;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  alpha-particle spectra;  Optical spectrometers;  Spectrum analysis;  States;  Cantons;  Islands
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li SS; Xia JB .Electronic structures of InAs self-assembled quantum dots in an axial magnetic field ,PHYSICAL REVIEW B,1998,58(7):3561-3564
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