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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition
作者: Zheng LX;  Yang H;  Xu DP;  Wang XJ;  Li XF;  Li JB;  Wang YT;  Duan LH;  Hu XW
发表日期: 1998
摘要: Low-temperature growth of cubic GaN at 520 degrees C was achieved using CCl4 as an additive by metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD) on GaAs substrate. X-Ray measurement confirmed that the films are single-phase cubic GaN. Scanning electron microscopy (SEM) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED) were also used to analyze the surface morphology and the quality of films. The evolution of surface morphology suggests that CCl4 can reduce the hopping barrier and thus Ga adatoms are able to diffuse easily on the GaN surface. (C) 1998 Elsevier Science S.A. All rights reserved.
KOS主题词: Nitrides;  atomic layer deposition;  Surface contamination;  atomic layer deposition;  Gallium arsenide;  vibrating bodies
刊名: THIN SOLID FILMS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zheng LX; Yang H; Xu DP; Wang XJ; Li XF; Li JB; Wang YT; Duan LH; Hu XW .Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition ,THIN SOLID FILMS,1998,326(1-2):251-255
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