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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The effect of buried AlxGa1-xN isolating layers on the transport properties of GaN deposited on sapphire substrate by molecular beam epitaxy using NH3
作者: Zhang JP;  Sun DZ;  Wang XL;  Li XB;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY
发表日期: 1998
摘要: It is believed that the highly dislocated region near the GaN/sapphire interface is a degenerate layer. In this paper a direct evidence for such a proposal is presented. By inserting a buried AlxGa1-xN (x > 0.5) isolating layer to separate the interface region from the bulk region, the background electron concentration can be significantly reduced, while care must be taken to guarantee that there is no degrading of Hall mobility when choosing the thickness of the isolating layer. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Development
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Li XB; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY .The effect of buried AlxGa1-xN isolating layers on the transport properties of GaN deposited on sapphire substrate by molecular beam epitaxy using NH3 ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1998,192(3-4):471-474
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