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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Formation mechanism of electric field domains
作者: Sun BQ;  Liu ZX;  Jiang DS
发表日期: 1998
摘要: Hydrostatic pressure measurements are used to investigate the formation mechanism of electric field domains in doped weakly-coupled GaAs/AlAs superlattices. For the first plateau-like region in the I-V curve, two kinds of sequential resonant tunnelling are observed. For P<2 kbar the high-field domain is formed by the Gamma-Gamma process, while for P>2 kbar the high-field domain is formed by the T-X process. For the second plateau-libe region, the high-field domain is attributed to Gamma-X sequential resonant tunnelling. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
刊名: MICROELECTRONIC ENGINEERING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun BQ; Liu ZX; Jiang DS .Formation mechanism of electric field domains ,MICROELECTRONIC ENGINEERING ,1998,15797(0):733-737
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