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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices
作者: Liu J;  Gornik E;  Xu SJ;  Zheng HZ
发表日期: 1998
摘要: Electron transport in heavily-doped GaAs/AlAs superlattices in parallel electric and magnetic fields is reported. The current-voltage (I-V) characteristic exhibited the feature of negative differential velocity (NDV) and high electric field domain effect at different biases. Under strong magnetic fields, sequential resonant tunnelling through Landau levels in the negative differential velocity regime is observed, which are manifested as oscillations in the conductance-voltage characteristics. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: metallic superlattices;  Transportation;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  Landau level;  temperature dependence;  Conductance;  Aerodynamics;  Transportation;  Localization
刊名: MICROELECTRONIC ENGINEERING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu J; Gornik E; Xu SJ; Zheng HZ .Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices ,MICROELECTRONIC ENGINEERING ,1998,43-44(0):349-354
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