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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Normal-incidence intersubband (In, Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors
作者: Pan D;  Towe E;  Kennerly S
发表日期: 1998
摘要: We report the device performance of normal-incidence (In, Ga)As/GaAs quantum dot intersubband infrared photodetectors. A primary intersubband transition peak is observed at the wavelength of 13 mu m (E-0 --> E-1) and a secondary peak at 11 mu m (E-0 --> E-2). The measured energy spacing in the conduction band of the quantum dots is in good agreement with low temperature photoluminescence measurement and calculations. A peak detectivity of 1 x 10(10) cm Hz(1/2)/W at 13 mu m was achieved at 40 K for these devices. (C) 1998 American Institute of Physics. [S0003-6951(98)01440-5].
KOS主题词: absorption
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Pan D; Towe E; Kennerly S .Normal-incidence intersubband (In, Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors ,APPLIED PHYSICS LETTERS,1998,73(14):1937-1939
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