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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Solid-phase crystallization and dopant activation of amorphous silicon films by pulsed rapid thermal annealing
作者: Wang YQ;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GZ;  Diao HW;  He J;  Kong GL;  Zhao YW;  Li ZM;  Yun F
发表日期: 1998
摘要: An improved pulsed rapid thermal annealing method has been used to crystallize amorphous silicon films prepared by PECVD. The solid-phase crystallization and dopant activation process can be completed with time-temperature budgets such as 10 cycles of 60-s 550 degrees C thermal bias/l-s 850 degrees C thermal pulse. A mean grain size more than 1000 Angstrom and a Hall mobility of 24.9 cm(2)/V s are obtained in the crystallized films. The results indicate that this annealing method possesses the potential for fabricating large-area and good-quality polycrystalline silicon films on low-cost glass substrate. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: amorphous silicon;  Rapid thermal processing;  Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating;  Cold
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang YQ; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Diao HW; He J; Kong GL; Zhao YW; Li ZM; Yun F .Solid-phase crystallization and dopant activation of amorphous silicon films by pulsed rapid thermal annealing ,APPLIED SURFACE SCIENCE ,1998,135(1-4):205-208
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