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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Ge related defect energy and microcavity effect in GaN epitaxial layer
作者: Zhao YG;  Cheng L;  Huang XL;  Zhang GY;  Li J;  Yang ZJ
发表日期: 1998
摘要: Using solid-phase regrowth technique, Pd/Ge contact has been made on the GaN layer, and very good ohmic behavior was observed for the contact. The Photoluminescence (PL) spectra for different structures formed by the Pd/Ge contact, GaN layer, sapphire substrate, and mirror were studied, and a defect-assisted transition was found at 450 nm related to Ge impurity. The results show that the microcavity effect strongly influences the PL spectra of the band-gap and defect-assisted transitions.
KOS主题词: Light emitting diodes;  Photoluminescence
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao YG; Cheng L; Huang XL; Zhang GY; Li J; Yang ZJ .Ge related defect energy and microcavity effect in GaN epitaxial layer ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1998,15(9):674-676
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