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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fermi-edge singularity observed in a modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure
作者: Zhang JP;  Sun DZ;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY
发表日期: 1998
摘要: In this letter, we report on the observation of Fermi-edge singularity in a modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure grown on a c-face sapphire substrate by NH3 source molecular beam epitaxy. The two-dimensional electron gas (2DEG) characteristic of the structure is manifested by variable temperature Hall effect measurements down to 7 K. Low-temperature photoluminescence (PL) spectra show a broad emission band originating from the recombination of the 2DEG and localized holes. The enhancement in PL intensity in the high-energy side approaching Fermi level was observed at temperatures below 20 K. At higher temperatures, the enhancement disappears because of the thermal broadening of the Fermi edge. (C) 1998 American Institute of Physics. [S0003-6951(98)02543-1].
KOS主题词: Field-effect transistors;  absorption;  Charge
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY .Fermi-edge singularity observed in a modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure ,APPLIED PHYSICS LETTERS,1998,73(17):2471-2472
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